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    赫爾納-供應德國CUNZ霍爾發生器

    更新時間:2022-07-18

    訪問量:1019

    廠商性質:經銷商

    生產地址:德國

    簡要描述:
    赫爾納-供應德國CUNZ霍爾發生器型號6010,直流和交流電流傳感器別名霍爾發電機技術,非接觸式,電流,響應時間,帶或不帶輸出放大,電流范圍 0 - 3000 A,頻率范圍 0 - 200 kHz。
    品牌其他品牌加工定制
    制作工藝其他輸出信號其他
    材料其他材料物理性質其他
    材料晶體結構其他

    赫爾納-供應德國CUNZ霍爾發生器   型號6010

     赫爾納-供應德國CUNZ霍爾發生器   型號6010

    赫爾納貿易優勢供應德國CUNZ霍爾發生器,歐洲直接采購,近30年進口工業品經驗,原裝產品,支持選型,為您提供一對一好的解決方案:貨期穩定,快速報價,價格優,在中國設有8大辦事處提供相關售后服務。

     

    企業介紹:
    CO.KG CUNZ GMBH & CO.KG
    公司1959 年由 Heinz Cunz 先生創立,多年來與客戶保持著良好的聯系,并因其和公平的合作伙伴關系而贏得了信任。為德國和外國制造商提供測量設備、傳感器、電氣、光電和光纖產品、連接器和分配系統的分銷、營銷和服務。服務行業包括汽車、化學、鋼鐵和玻璃工業、交通、自動化和輸送技術、電氣和技術、機械和設備工程、航空航天、研究。CO.KG CUNZ GMBH & CO.KG 公司多年來與客戶保持著良好的聯系,并因其和公平的合作伙伴關系而贏得了的信任。為德國和外國制造商提供測量設備、傳感器、電氣、光電和光纖產品、連接器和分配系統的分銷、營銷和服務。

    CUNZ
    發生器產品介紹:
    直流和交流電流傳感器別名霍爾發電機技術,非接觸式,電流,響應時間,帶或不帶輸出放大,電流范圍 0 - 3000 A,頻率范圍 0 - 200 kHz

    霍爾效應原理:
    HX
    傳感器的核心是一個霍爾效應發生器。1879年,EdwardH.Hall發現了霍爾效應,在電流流經一片薄傳導材料(霍爾發生器),并放在正交磁場中時,會發生這種效應。然后電磁洛倫茲力將感應電子,根據性流到薄片邊緣。
    在這兩個邊緣之間產生的霍爾電壓VH與控制電流IC和磁通量B直接成正比(1)。霍爾發生器由一片薄傳導材料制成,如砷化物(GaAs),這種材料在使用期間能夠實現穩定的性能。在5mA的控制電流下,獲得的霍爾電壓約為1.25mV/mT。
    霍爾效應開環電流測量
    電流產生的磁場會在磁性電路的間隙中生成線性磁通量B,磁通量B會在霍爾發生器中感應成比例的霍爾電壓VH。然后這個電壓被電子電路放大,得到一個與電流成比例的輸出模擬信號。HX系列可以測量DC電流和AC電流,以及相控整流器、有源電源轉換器、PWM轉換器和開關式電源中復雜的電流波形。輸出電壓一直是電流的真映像。
    dv/dt噪聲能力
    在設計驅動器控制和開關設備時,工程師遇到的其中一個問題是整流期間電壓變化導致的高dv/dt噪聲。
    電源半導體
    技術一直在不斷發展?,F在,許多半導體產品大樣本中都可以看到整流速度非常高的IGBT。因此,當前通用逆電器一般會以很高的開關頻率工作,通常在20kHz以上。在這么高的頻率上工作的好處包括波形平滑、操作、效率高。
    開關設備每次開關時產生的高dv/dt值將在主電纜和傳感器的電子電路之間產生電容電流。大多數模擬線性放大器對這種寄生電流很靈敏。因此,dv/dt噪聲將被疊加在輸出信號上。根據變動電壓的幅度和斜坡,初始和后來的振蕩有時會
    非常高,以致它們會激活傳感器的電流保護電路,進而使逆電器暫停運轉。LEM的經驗在HX系列設計階段幫助了對關鍵噪聲的,而又不會損害帶寬,因此HX的性能要其它類似的傳感器(2和圖3)。
    對階躍電流的響應時間對IGBT短路保護
    HX系列可以以50A/ms以上的速度,準確追蹤電流變化,對階躍電流的響應為3ms。

     

    CUNZ發生器技術參數:
    6
    個測量范圍:3 G 300 kG
    頻率:DC20KHz
    溫度補償探頭
    設備精度:±0.25%(直流)
    G、T、mA/m、oC 顯示
    輸出:±3V、10mV/oC、RS-232
    其他貝爾探頭的探頭適配器

    產品型號:
    CUNZ
    霍爾發生器型號 6010
    CUNZ
    霍爾發生器型號 5100
    CUNZ
    霍爾發生器型號系列 ELF-4000

    CUNZ
    霍爾發生器的應用:
    用于測量技術、控制技術、自動化技術和汽車應用。材料由銻化銦(InSb)、砷化銦(InAs)和(GaAs)組成。

     

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